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IXFK66N50Q2	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET • 国际标准包装\n• 双金属工艺带来较低的栅极电阻\n• 雪崩能量和电流额定值\n• 快速本征整流器\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFK66N50Q2	文件：129.639 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class 文件：129.639 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN66N50Q2	文件：127.26 Kbytes Page：5 Pages	HiPerFET Power MOSFET Q2-Class 文件：127.26 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
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技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.08
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
66
Gate Charge (nC)：
200
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.17
Configuration：
Single
Package Type：
TO-264
Power Dissipation (W)：
735
Maximum Reverse Recovery (ns)：
250
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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