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IXFI7N80P	文件：146.22 Kbytes Page：4 Pages	PolarHV HiPerFET Power MOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFI7N80P	文件：327.02 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.44Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFM7N80	文件：78.2 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFETPowerMOSFETs N-ChannelEnhancementMode Highdv/dt,Lowtrr,HDMOSTMFamily Features •Internationalstandardpackages •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodrive	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFM7N80	文件：276.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP7N80	文件：295.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.44Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP7N80P	文件：152.81 Kbytes Page：4 Pages	PolarHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features ●InternationalStandardPackages ●Dynamicdv/dtRating ●AvalancheRated ●FastIntrinsicRectifier ●LowQG Applications ●DC-DCConverters ●BatteryChargers ●Switch-ModeandResonant-ModePowerSupplies	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP7N80P	文件：146.22 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features ●Internationalstandardpackages ●UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ●Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ●Easytomount ●Spacesavings ●Highpowerdensity	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP7N80P	文件：260.55 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP7N80PM	文件：86.45 Kbytes Page：4 Pages	PolarHVHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCS7N80C	文件：564.01 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELMOSFET APPLICATIONS Switchedmodepower suppliesy Electronicballast FEATURES Lowgatecharge LowCrss(typical11.3pF) Fastswitching 100%avalanchetested Improveddv/dtcapability RoHSproduct	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC

详细参数

型号：
IXFI7N80P
功能描述：
MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IXFI7N80P	IXYS	24+	TO-262(i2-Pac)	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IXFI7N80P	IXYS	23+	TO-262(i2-Pa	8600	全新原装现货	询价
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