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IXFH88N30P	文件：372.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 88A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 40mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：372.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFH88N30P	文件：152.26 Kbytes Page：5 Pages	Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：152.26 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH88N30P	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道HiPerFET MOSFET • 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFK88N30	文件：324.86 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 88A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 300V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 40mΩ(Max) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switching applications 文件：324.86 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFK88N30P	文件：152.26 Kbytes Page：5 Pages	Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：152.26 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFT88N30P	文件：152.26 Kbytes Page：5 Pages	Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：152.26 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.04
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
88
Gate Charge (nC)：
180
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.21
Configuration：
Single
Package Type：
TO-247
Power Dissipation (W)：
600
Maximum Reverse Recovery (ns)：
200
Sample Request：
No
Check Stock：
Yes

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