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IXFH15N100Q3

N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特

技术参数

  • Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm):

    0.7

  • Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A):

    15

  • Gate Charge (nC):

    220

  • Thermal resistance [junction-case](K/W):

    0.35

  • Configuration:

    Single

  • Package Type:

    TO-247

  • Power Dissipation (W):

    357

  • Maximum Reverse Recovery (ns):

    200

  • Sample Request:

    No

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更多IXFH15N100供应商 更新时间2026-2-2 17:21:00