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IXFE73N30Q	文件：79.56 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •ConformstoSOT-227Boutline •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance •Fastintrins	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXFK73N30	文件：325.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=73A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=45mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFK73N30Q	文件：98.31 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-CLASS SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,HighdV/dt,Lowtrr Features ▪IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •RatedforunclampedInductiv	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFK73N30Q	文件：590.83 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-CLASS SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,HighdV/dt,Lowtrr Features ▪IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •RatedforunclampedInductiv	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN73N30	文件：131.76 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETs HiPerFET™PowerMOSFETs N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features •Internationalstandardpackages •JEDECTO-264AA,epoxymeetUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilic	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFN73N30Q	文件：98.75 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-Class N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,Highdv/dt Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •LowRDS(on) •Fastintrinsicdiode •Internationalstandar	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX73N30	文件：367.89 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=73A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=42mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFX73N30Q	文件：590.83 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-CLASS SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,HighdV/dt,Lowtrr Features ▪IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •RatedforunclampedInductiv	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFX73N30Q	文件：98.31 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFETPowerMOSFETsQ-CLASS SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,LowQg,HighdV/dt,Lowtrr Features ▪IXYSadvancedlowQgprocess •Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -fasterswitching •Internationalstandardpackages •LowRDS(on) •RatedforunclampedInductiv	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
IXFE73N30Q
功能描述：
MOSFET 66 Amps 300V 0.046 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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