PolarP2 HiPerFET Power MOSFET

PolarP2™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Diode • Avalanche Rated • Low RDS(ON) • Low Package Inductance Advantages • Plus 264TM Package for Clip or Spring Mounting • High

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IXYS

艾赛斯

N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 43mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC) · AC and DC

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ISC

无锡固电

N通道HiPerFET MOSFET

• 较低的RDS(on)和Qg\n • 低热阻RthJC\n • 高功率耗散\n • 动态dv/dt额定值\n • 雪崩评级;

Littelfuse

力特

TO-264

IXYS

艾赛斯

上传：深圳市中利达电子科技有限公司

TO-247

IXYS/艾赛斯

上传：中天科工半导体（深圳）有限公司