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IXFA90N20X3	文件：333.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 12.8mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：333.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFA90N20X3	文件：242.33 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：242.33 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFA90N20X3	文件：300 bytes Page：1 Pages	N通道超-超级结MOSFET • 最低的导通电阻RDS(ON) 和栅极电荷Qg\n• 快速软恢复体二极管\n• dv/dt强度\n• 一流的雪崩功能\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFH90N20X3	文件：242.33 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：242.33 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH90N20X3	文件：372.49 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 90A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 12.8mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：372.49 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFP90N20X3	文件：242.33 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated 文件：242.33 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm)：
0.0128
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A)：
90
Gate Charge (nC)：
78
Thermal resistance [junction-case](K/W)：
0.32
Configuration：
Single
Package Type：
TO-263
Typical Reverse Recovery Time (ns)：
95
Power Dissipation (W)：
390
Sample Request：
Yes
Check Stock：
Yes

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