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MTW7N80E	文件：204.08 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJ7N80	文件：684.54 Kbytes Page：6 Pages	7.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ7N80-BL	文件：684.54 Kbytes Page：6 Pages	7.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
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RMP7N80TI	文件：906.09 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SIF7N80C	文件：440.82 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
SLB7N80C	文件：334.22 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI
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SLI7N80C	文件：334.22 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI

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详细参数

型号：
IXFA7N80P
功能描述：
MOSFET 7 Amps 800V 1.44 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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