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IXEH25N120

NPT3 IGBT

Features • NPT3 IGBT - positive temperature coefficient of saturation voltage for easy paralleling - fast switching - short tail current for optimized performance in resonant circuits • optional HiPerFRED™ diode - fast reverse recovery - low operating forward

文件:182.34 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXEH25N120

NPT3 IGBT

• NPT3 IGBT\n   - positive temperature coefficient of\n      saturation voltage for easy paralleling\n   - fast switching\n   - short tail current for optimized\n      performance in resonant circuits\n• optional HiPerFRED™ diode\n   - fast reverse recovery\n   - low  operating  forward  voltage\n  ;

Littelfuse

力特

IXEH25N120

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

IXYS

艾赛斯

IXEH25N120D1

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXEH25N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,25A

  • 开关能量:

    4.1mJ(开),1.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,20A,68 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 36A 200W TO247AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXEH25N120供应商 更新时间2026-2-1 15:30:00