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IXDT30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode Short Circuit SOA Capability Square RBSOA VCES = 1200 V IC25 = 60 A VCE(sat) typ = 2.4 V Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● M 文件：94.32 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDT30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode 文件：89.51 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDT30N120	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 300W TO268AA	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDT30N120D1	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode Short Circuit SOA Capability Square RBSOA VCES = 1200 V IC25 = 60 A VCE(sat) typ = 2.4 V Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● M 文件：94.32 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDT30N120D1	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode 文件：89.51 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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