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IXDT30N120	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDT30N120	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDT30N120	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 60A 300W TO268AA	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDT30N120D1	文件：94.32 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode ShortCircuitSOACapabilitySquareRBSOA VCES=1200V IC25=60A VCE(sat)typ=2.4V Features ●NPTIGBTtechnology ●lowsaturationvoltage ●lowswitchinglosses ●squareRBSOA,nolatchup ●highshortcircuitcapability ●positivetemperaturecoefficientforeasyparalleling ●M	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXDT30N120D1	文件：89.51 Kbytes Page：4 Pages	High Voltage IGBT with optional Diode	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
FGA30N120FTD	文件：614.76 Kbytes Page：9 Pages	1200V,30ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA30N120FTDTU	文件：614.76 Kbytes Page：9 Pages	1200V,30ATrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH30N120FTD	文件：588.2 Kbytes Page：9 Pages	Fieldstoptrenchtechnology GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH30N120FTDTU	文件：588.2 Kbytes Page：9 Pages	Fieldstoptrenchtechnology GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffersuperiorconductionandswitchingperformances,andeasyparalleloperationwithexceptionalavalancheruggedness.Thisdeviceisdesignedforsoftswitchingapplications. Features •Fi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGW30N120H	文件：559.44 Kbytes Page：6 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/30A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
FGW30N120HD	文件：651.14 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/30A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ	Fuji
G30N120CN	文件：113.21 Kbytes Page：8 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
GW30N120KD	文件：359.23 Kbytes Page：13 Pages	30A-1200V-shortcircuitruggedIGBT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
GWA30N120KD	文件：423.46 Kbytes Page：15 Pages	30A,1200VshortcircuitruggedIGBTwithUltrafastdiode Features ■Lowon-losses ■Highcurrentcapability ■Lowgatecharge ■Shortcircuitwithstandtime10μs ■IGBTco-packagedwithUltrafastfree-wheeling diode Applications ■Motorcontrol Description Thishighvoltageandshort-circuitruggedIGBT utilizestheadvancedPowerMESH™p	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
HGTG30N120CN	文件：113.21 Kbytes Page：8 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
HGTG30N120CN	文件：40.5 Kbytes Page：5 Pages	30A,1200VN-ChannelIGBT Description TheHGTG30N120D2isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvarie	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HGTG30N120CN	文件：81.32 Kbytes Page：7 Pages	75A,1200V,NPTSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N120CNisaNon-PunchThrough(NPT)IGBTdesign.ThisisanewmemberoftheMOSgatedhighvoltageswitchingIGBTfamily.IGBTscombinethebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowonstateconductionlossofabip	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HIH30N120TF	文件：892.05 Kbytes Page：8 Pages	1200VFieldStopTrenchIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
IHW30N120R	文件：977.75 Kbytes Page：12 Pages	IGBTwithmonolithicbodydiodeforsoftswitchingApplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IHW30N120R	文件：201.5 Kbytes Page：10 Pages	HighSpeed2-Technology •Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
IXDT30N120
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，30A
输入类型：
标准
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 1200V 60A 300W TO268AA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市毅创辉电子科技有限公司	IXDT30N120	IXYS	23+	DIP18	6000	15年原装正品企业	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IXDT30N120	IXYS	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市国宇半导体科技有限公司	IXDT30N120	IXYS/艾赛斯	23+	TO-268AA	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXDT30N120	IXYS	22+	TO268	9000	原厂渠道,现货配单	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IXDT30N120	IXYS/艾赛斯	21+ROHS	ISOPLUS247	2000000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXDT30N120	IXYS/艾赛斯	23+	TO-268AA	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	IXDT30N120	IXYS	2022+	TO-268	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IXDT30N120	IXYS/艾赛斯	22+	TO-268AA	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
深圳市惊羽科技有限公司	IXDT30N120	IXYS-艾赛斯	24+25+/26+27+	TO-268	78800	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IXDT30N120	IXYS	24+	TO-268-3,D?Pak(2 引线 + 接片	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价

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