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IXDN602SIATR

2-Ampere Dual Low-Side Ultrafast MOSFET Drivers

文件:1.6 Mbytes 页数:13 Pages

CLARE

Clare, Inc.

IXDN602SIATR

2A Peak Source/Sink Drive Current

文件:308.57 Kbytes 页数:13 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDN602SIATR

MOSFET/IGBT Gate Drivers

Littelfuse

力特

IXDN602SIATR

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS Integrated Circuits Division

产品属性

  • 产品编号:

    IXDN602SIATR

  • 制造商:

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    7.5ns,6.5ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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更多IXDN602SIATR供应商 更新时间2026-2-4 16:18:00