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IXDN409YI

9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver

General Description The IXDD409/IXDI409/IXDN409 are high speed high current gate drivers specifically designed to drive the largest MOSFETs and IGBTs to their minimum switching time and maximum practical frequency limits. The IXDD409/IXDI409/IXDN409 can source and sink 9A of peak current while pr

文件:259.339 Kbytes 页数:10 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDN409YI

MOSFET/IGBT Gate Drivers

Littelfuse

力特

IXDN409YI

Package:TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA;包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 栅极驱动器 描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

IXYS

艾赛斯

J409

LAN DISCRETE TRANSFORMER MODULES

文件:261.829 Kbytes 页数:12 Pages

PULSE

J409

RoHS peak wave reflow temperature rating 245 C J0C SMT product, reduced size and low cost alternative to JV series

文件:1.88438 Mbytes 页数:12 Pages

PULSE

J409

LAN DISCRETE TRANSFORMER MODULES

LAN FILTERED CONNECTORS LAN GIGABIT IC CROSS REFERENCE LAN 10/100BASE-TX IC CROSS REFERENCE LAN 10BASE-T IC CROSS REFERENCE

文件:253.78 Kbytes 页数:12 Pages

PULSE

产品属性

  • 产品编号:

    IXDN409YI

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    低端

  • 通道类型:

    单路

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,3.5V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    9A,9A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    10ns,10ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-6,D²Pak(5 引线 + 接片),TO-263BA

  • 供应商器件封装:

    TO-263-5

  • 描述:

    IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS
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TO-263(D2Pak)
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更多IXDN409YI供应商 更新时间2026-4-24 14:28:00