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IXDI409SIA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDI409YI	文件：259.339 Kbytes Page：10 Pages	9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver General Description The IXDD409/IXDI409/IXDN409 are high speed high current gate drivers specifically designed to drive the largest MOSFETs and IGBTs to their minimum switching time and maximum practical frequency limits. The IXDD409/IXDI409/IXDN409 can source and sink 9A of peak current while pr 文件：259.339 Kbytes 页数：10 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDN409CI	文件：259.339 Kbytes Page：10 Pages	9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver General Description The IXDD409/IXDI409/IXDN409 are high speed high current gate drivers specifically designed to drive the largest MOSFETs and IGBTs to their minimum switching time and maximum practical frequency limits. The IXDD409/IXDI409/IXDN409 can source and sink 9A of peak current while pr 文件：259.339 Kbytes 页数：10 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDN409PI	文件：259.339 Kbytes Page：10 Pages	9 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET Driver General Description The IXDD409/IXDI409/IXDN409 are high speed high current gate drivers specifically designed to drive the largest MOSFETs and IGBTs to their minimum switching time and maximum practical frequency limits. The IXDD409/IXDI409/IXDN409 can source and sink 9A of peak current while pr 文件：259.339 Kbytes 页数：10 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXDI409SIA
制造商：
IXYS
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 35V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，3.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
9A，9A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

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