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IXDH35N60B	文件：101.3 Kbytes Page：4 Pages	IGBT with optional Diode High Speed, Low Saturation Voltage Features ● NPT IGBT technology ● low switching losses ● low tail current ● no latch up ● short circuit capability ●positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS input, voltage controlled ● optional ultra fast diode ● International standard 文件：101.3 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDH35N60BD1	文件：101.3 Kbytes Page：4 Pages	IGBT with optional Diode High Speed, Low Saturation Voltage Features ● NPT IGBT technology ● low switching losses ● low tail current ● no latch up ● short circuit capability ●positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS input, voltage controlled ● optional ultra fast diode ● International standard 文件：101.3 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDH35N60B	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT 标准 IGBT • NPT IGBT技术\n• 低饱和电压\n• 低开关损耗\n• 方形RBSOA，无闩锁\n• 卓越防短路性能\n• 正温度系数，适合并联\n• MOS输入，电压控制\n• 选配超快二极管\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXDH35N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 250W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXDH35N60BD1	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT 标准 IGBT • NPT IGBT技术\n• 低饱和电压\n• 低开关损耗\n• 方形RBSOA，无闩锁\n• 卓越防短路性能\n• 正温度系数，适合并联\n• MOS输入，电压控制\n• 选配超快二极管\n• 国际标准包装;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXDH35N60BD1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 250W TO247AD	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXDH35N60B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，35A
开关能量：
1.6mJ（开），800µJ（关）
输入类型：
标准
测试条件：
300V，35A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 60A 250W TO247AD

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