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IXDH20N120

High Voltage IGBT with optional Diode

High Voltage IGBT with optional Diode Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS inpu

文件:74.06 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXDH20N120

NPT 标准 IGBT

• NPT IGBT技术\n• 低饱和电压\n• 低开关损耗\n• 方形RBSOA,无闩锁\n• 卓越防短路性能\n• 正温度系数,适合并联\n• MOS输入,电压控制\n• 选配超快二极管\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

IXDH20N120

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

IXYS

艾赛斯

IXDH20N120D1

High Voltage IGBT with optional Diode

High Voltage IGBT with optional Diode Short Circuit SOA Capability Square RBSOA Features ● NPT IGBT technology ● low saturation voltage ● low switching losses ● square RBSOA, no latch up ● high short circuit capability ● positive temperature coefficient for easy paralleling ● MOS inpu

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IXYS

艾赛斯

IXDH20N120D1

NPT 标准 IGBT

• NPT IGBT技术\n• 低饱和电压\n• 低开关损耗\n• 方形RBSOA,无闩锁\n• 卓越防短路性能\n• 正温度系数,适合并联\n• MOS输入,电压控制\n• 选配超快二极管\n• 国际标准包装;

Littelfuse

力特

IXDH20N120D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXDH20N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    3.1mJ(开),2.4mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 测试条件:

    600V,20A,82 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 1200V 38A 200W TO247AD

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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更多IXDH20N120供应商 更新时间2026-1-31 14:00:00