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IXBX64N250	文件：198.32 Kbytes Page：6 Pages	Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • High Blocking Voltage • Low Switching Losses • High Current Handling Capability • Anti-Parallel Diode Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies • Uninterrupted Power Supplies (UPS) • Capacitor Disc 文件：198.32 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBX64N250	文件：300 bytes Page：1 Pages	BiMOSFET™ 超高电压 • “自由”本征体二极管\n• 高功率密度\n• 高频运行\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 4000V电气绝缘;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXBX64N250	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3 变式；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 2500V	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBK64N250	文件：198.32 Kbytes Page：6 Pages	Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • High Blocking Voltage • Low Switching Losses • High Current Handling Capability • Anti-Parallel Diode Advantages • High Power Density • Low Gate Drive Requirement Applications • Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies • Uninterrupted Power Supplies (UPS) • Capacitor Disc 文件：198.32 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBL64N250	文件：191.79 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage, High Gain BiMOSFETTM 文件：191.79 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBX64N250
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，64A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
49ns/232ns
测试条件：
1250V，128A，1 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
供应商器件封装：
PLUS247™-3
描述：
IGBT 2500V

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