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IXBX25N250

BiMOSFET™ 超高电压

• “自由”本征体二极管\n• 高功率密度\n• 高频运行\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 4000V电气绝缘;

Littelfuse

力特

IXBX25N250

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features • High Blocking Voltage • International Standard Package • Low Conduction Losses Advantages • Low Gate Drive Requirement • High Power Density Applications • Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies • Uninterruptible Power Supplies (UPS) • Laser Generator • Capacitor Dischar

文件:171.35 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXBX25N250

Package:TO-247-3 变式;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 2500V 55A 300W PLUS247

IXYS

艾赛斯

IXGF25N250

High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications

文件:228.55 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGH25N250

High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications

文件:180.71 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGT25N250

High Voltage IGBT For Capacitor Discharge Applications

文件:180.71 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXBX25N250

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.3V @ 15V,25A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3 变式

  • 供应商器件封装:

    PLUS247™-3

  • 描述:

    IGBT 2500V 55A 300W PLUS247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
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MOSFET
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更多IXBX25N250供应商 更新时间2026-2-3 16:35:00