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IXBT42N300HV	文件：266 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • High Voltage Package • High Blocking Voltage • High Peak Current Capability • Low Saturation Voltage • FBSOA • SCSOA Advantages • Low Gate Drive Requirement • High Power Density Applications • Laser Generators • Capacitor Discharge Circuits • AC Switches • Protection Circu 文件：266 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBT42N300HV	文件：300 bytes Page：1 Pages	BiMOSFET™ 超高电压 • “自由”本征体二极管\n• 高功率密度\n• 高频运行\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 4000V电气绝缘;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXBT42N300HV	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 3000V 42A 357W TO268	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBF42N300	文件：209.95 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features ● Silicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Substrate ● Isolated Mounting Surface ● 3000V~ Electrical Isolation ● High Blocking Voltage ● High Peak Current Capability ● Low Saturation Voltage ● FBSOA Rated ● SCSOA Rated Advantages ● Low Gate Drive Requirement ● High Power Densit 文件：209.95 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXBH42N300HV	文件：266 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage, BiMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor Features • High Voltage Package • High Blocking Voltage • High Peak Current Capability • Low Saturation Voltage • FBSOA • SCSOA Advantages • Low Gate Drive Requirement • High Power Density Applications • Laser Generators • Capacitor Discharge Circuits • AC Switches • Protection Circu 文件：266 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

产品属性

产品编号：
IXBT42N300HV
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
BIMOSFET™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，42A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
72ns/445ns
测试条件：
1500V，42A，20 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268HV
描述：
IGBT 3000V 42A 357W TO268

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