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IXBH14N300HV分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IXBH14N300HV
厂商型号

IXBH14N300HV

参数属性

IXBH14N300HV 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2

文件大小

365.55 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 IXYS Corporation
企业简称

IXYS

中文名称

IXYS Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-25 12:45:00

IXBH14N300HV规格书详情

Features

• High Voltage Packages

• High Blocking Voltage

• Anti-Parallel Diode

• Low Conduction Losses

Advantages

• Low Gate Drive Requirement

• High Power Density

Applications

• Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

• Uninterruptible Power Supplies (UPS)

• Laser Generators

• Capacitor Discharge Circuits

• AC Switches

IXBH14N300HV属于分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。IXYS Corporation制造生产的IXBH14N300HV晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXBH14N300HV

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    BIMOSFET™

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,14A

  • 输入类型:

    标准

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247HV(IXBH)

  • 描述:

    DISC IGBT BIMSFT VERYHIVOLT TO-2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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