High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Features • High Voltage Package • High Blocking Voltage • Anti-Parallel Diode • Low Conduction Losses Advantages • Low Gate Drive Requirement • High Power Density Applications: • Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies • Uninterruptible Power Supplies (UPS) • Laser Generators • Ca

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IXYS

艾赛斯

BiMOSFET™ 高电压

• 高阻断电压\n• 高功率密度\n• 高电流处理能力\n• 低传导损耗\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 国际标准和专有ISOPLUSTM封装;

Littelfuse

力特

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：REVERSE CONDUCTING IGBT

IXYS

艾赛斯

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：DISC IGBT BIMOSFET-HIGH VOLT TO-

IXYS

艾赛斯