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IXA4I1200UC

XPT™ Planar IGBT

: • 针对中高开关频率进行了优化\n• 短路功能\n• 国际标准封装\n;

Littelfuse

力特

IXA4I1200UC

Single IGBT

文件:100.64 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

IXA4I1200UC-TRL

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 9A 45W TO252AA

IXYS

艾赛斯

IXA4I1200UC-TUB

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:DISC IGBT XPT-GENX3 TO-252D

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V):

    1.8

  • Package Type:

    TO-252AA (DPak)

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W):

    2.7

  • Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ):

    0.3

  • Collector Current @ 100 ℃ (A):

    5

  • Collector emitter saturation voltage at 25C:

    1.8

  • Pc (W):

    45

  • Co packDiode:

    No

  • Fall Time [Inductive Load] 25 (ns):

    100

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IXYS
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更多IXA4I1200UC供应商 更新时间2026-1-30 10:18:00