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ITU05N40R	文件：300 bytes Page：1 Pages	HVMOS	IPS 华润芯	IPS
SDF05N40T	文件：125.13 Kbytes Page：8 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). 文件：125.13 Kbytes 页数：8 Pages	SAMHOP 三合微科	SAMHOP
HXM05N40SA	文件：953.05 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ⚫ High density cell design for ultra low RDS(on) ⚫ VDS= 40V,ID= 5A RDS(on) 文件：953.05 Kbytes 页数：4 Pages	HUIXIN 慧芯电子	HUIXIN
ITU05N40R	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-251	IPS 上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	IPS

技术参数

VDS (min)(V)：
400
ID(A)：
5
RDS(on)(typ)(@10V)：
0.78
RDS(on)(max)(@10V)：
1
Qg(typ)(nC)：
13
Ciss(typ)(pF)：
585

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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