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ITP23N60R	文件：300 bytes Page：1 Pages	HVMOS	IPS 华润芯	IPS
IXFH23N60Q	文件：580.04 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class 文件：580.04 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH23N60Q	文件：337.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.32Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：337.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFT23N60Q	文件：580.04 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class 文件：580.04 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

VDS (min)(V)：
600
ID(A)：
23
RDS(on)(max)(@10V)：
0.38

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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