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ITP12N70R

HVMOS

IPS

华润芯

NJ12N70

12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES 0.88 * VDS =700V * ID = 12A * RDS(ON) = Ω@VGS = 10V. * Low gate charge ( typical 44 nC) * Low Crss ( typical 18 pF) * Fast switching * 100 avalanche tested * Improved dv/dt capability

文件:1.00989 Mbytes 页数:9 Pages

DGNJDZ

南晶电子

NJ12N70-BL

12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES 0.88 * VDS =700V * ID = 12A * RDS(ON) = Ω@VGS = 10V. * Low gate charge ( typical 44 nC) * Low Crss ( typical 18 pF) * Fast switching * 100 avalanche tested * Improved dv/dt capability

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DGNJDZ

南晶电子

NJ12N70F-LI

12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET

FEATURES 0.88 * VDS =700V * ID = 12A * RDS(ON) = Ω@VGS = 10V. * Low gate charge ( typical 44 nC) * Low Crss ( typical 18 pF) * Fast switching * 100 avalanche tested * Improved dv/dt capability

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DGNJDZ

南晶电子

技术参数

  • VDS (min)(V):

    700

  • ID(A):

    12

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    0.7

  • RDS(on)(max)(@10V):

    0.85

  • Qg(typ)(nC):

    38.6

  • Ciss(typ)(pF):

    1981

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