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ITN01N60A

HVMOS

IPS

华润芯

M01N60

N Channel MOSFET

[STANSON TECHNOLOGY] Robust High Voltage Temination. Avalanche Energy Specified Source-to Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode Diode is Characterized for Use in Bridge Circurits IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

文件:174.41 Kbytes 页数:5 Pages

STANSON

司坦森

M01N60

N Channel MOSFET

文件:190.91 Kbytes 页数:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

MSL01N60

600V N-Channel MOSFETs

文件:593.74 Kbytes 页数:6 Pages

BWTECH

技术参数

  • VDS (min)(V):

    600

  • ID(A):

    1

  • RDS(on)(typ)(@10V):

    7

  • RDS(on)(max)(@10V):

    10.5

  • Qg(typ)(nC):

    5

  • Ciss(typ)(pF):

    128

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IPS
1708+
TO-92
8500
只做原装进口,假一罚十
询价
IPS
23+24
TO-92
56983
原装正品,原盘原标,提供BOM一站式配单
询价
IPS
25+
TO-92
188600
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询
询价
IPS
23+
TO-92
89630
当天发货全新原装现货
询价
LEM
2025+
SENSOR
70
原厂直销,支持实单,保质期5年
询价
ADM
2023+
PLCC28
50000
原装现货
询价
LEM
2018+
550
询价
LEM
2022+
550
原厂原装,假一罚十
询价
LEM/莱姆
22+
SENSOR
14100
原装正品
询价
LEM
19+
SENSOR
1000
只做原装正品
询价
更多ITN01N60A供应商 更新时间2025-12-16 15:09:00