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ITD50N04S4L-07	文件：300 bytes Page：1 Pages	40 V、N 沟道、最大 12.4 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T2 • 双 N 沟道逻辑电平共漏极\n• 增强模式\n• 符合汽车 AEC Q101 标准\n• MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值\n• 工作温度为 175°C\n• 绿色产品（符合 RoHS 标准）\n• 100% Avalanche 测试\n• 支持 PPAP 的设备;	Infineon 英飞凌	Infineon
ITD50N04S4L-07	文件：219.73 Kbytes Page：9 Pages	丝印：4T04L07；Package：PG-TO252-5-311；OptiMOSTM-T2 Power-Transistor 文件：219.73 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
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