丝印：24DP10L；Package：PG-TSDSON-8FL；OptiMOSTM Power-Transistor, -100 V

Features • P-Channel • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V • 100 avalanche tested • Logic Level • Enhancement mode • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

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Infineon

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逻辑级 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性

OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 150 V，采用 PQFN 3.3x3.3，针对电池管理、负载开关和反极性保护应用，降低中低功率应用的设计复杂性。它们提供与 MCU 的简便接口、快速切换以及雪崩强度，适用于高质量要求的应用。它具有逻辑电平，具有较宽的 RDS(on) 范围，并可提高低负载下的效率。 • 提供 6 种不同封装\n• 提供正常电平和逻辑电平\n• 可从分销合作伙伴处获取;

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