丝印：056N03F；Package：PG-TSDSON-8；MOSFET StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 30 V

Features • Optimized for wide range of applications • N‑channel, logic level • 100% avalanche tested • 175°C rated • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

文件：1.26392 Mbytes 页数：12 Pages

Infineon

英飞凌

StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V，采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 30 V 技术采用 PQFN 3.3 x 3.3 封装，具有一流的 5.6 mOhm RDS(on)。该产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，ISZ056N03LF2S 实现了高达 40% 的 RDS(on) 改善，同时实现了高达 60% 的 FOM 增强和出色的稳健性。 • 通用产品\n• 出色的稳健性\n• 卓越的性价比\n• 分销商处广泛供应\n• 标准封装和引脚分配\n• 高制造和供应标准;

Infineon

英飞凌