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ISPD30N03S2L	文件：334.44 Kbytes Page：2 Pages	丝印：DPAK；Package：TO-252；N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Superior thermal resistance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤10mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：334.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SPD30N03S2L	文件：334.44 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Superior thermal resistance • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤10mΩ • Enhancement mode: • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：334.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD30N03S2L	文件：321.15 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：321.15 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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