丝印：16DP10LM；Package：PG-SOT223-4；OptiMOS Power-Transistor,-100V

Features *P-channel *Very low on-resistance Rds(on) @ Vgs=4.5 V *100 avalanche tested *Logic level *Enhancement mode *Pb-free lead plating; RoHS compliant *Halogen-free according to IEC61249-2-21

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丝印：16DP10LA；Package：PG-SOT223-4；MOSFET OptiMOSTM Small Signal Transistor, -100 V

Features • P-channel • Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V • Logic level • Enhancement mode • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：1.30902 Mbytes 页数：11 Pages

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OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V，采用 SOT-223 封装

\n优势:\n• Supports a wide variety of applications\n• Robust, reliable performance\n• Standard pinout allows for drop-in replacement\n• Increased security of supply;

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采用 SOT-223 封装的 100 V P 沟道功率 MOSFET，适用于汽车应用

ISP16DP10LMA 具有 0.067 Ohm 的低 RDS(on)，可轻松实现功率损耗管理，使其成为适合汽车应用的 SOT-223 封装中的最佳 MOSFET。P 沟道器件的主要优点是降低了设计复杂性并简化了接口。此外，这种 MOSFET 的抗雪崩能力使其适用于高要求的应用。 • 汽车资质\n• 产品组合中最低的 RDS(on)\n• 支持多种应用程序\n• 坚固、可靠的性能;

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