ISO5852S-Q1 High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features

1 Features 1• Qualified for Automotive Applications • AEC-Q100 Qualified With the Following Results: – Device Temperature Grade 1: –40°C to +125°C Ambient Operating Temperature Range – Device HBM Classification Level 3A – Device CDM Classification Level C6 • 100-kV/μs Minimum Common-Mode T

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High-CMTI 2.5-A and 5-A Reinforced Isolated IGBT, MOSFET Gate Driver With Split Outputs and Active Protection Features

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5.7kVrms, 2.5A/5A enhanced 1-channel isolated gate driver w/split output, active protection features

ISO5852S-EP 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。 \n\n内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 时，静音逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚并将 OUTL • 在 VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/µs\n• 分离输出，可提供 2.5A 峰值拉电流和5A 峰值灌电流\n• 短暂传播延迟：76ns（典型值），110ns（最大值）\n• 2A 有源米勒钳位\n• 输出短路钳位\n• 短路期间的软关断 (STO)\n• 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警并通过 RST 复位\n• 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)\n• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平\n• 2.25V 至 5.5V 输入电源电压\n• 15V 至 30V 输出驱动器电;

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