Fast Recovery Diode

FEATURES · Soft Recovery · Fast Recovery · Avalanche Energy Rated APPLICATIONS · Switch Mode Power Supplies (SMPS) · UPS Free Wheeling Diode · Motor Drive FWD

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ISC

无锡固电

30A, 600V Stealth??Diode

General Description The ISL9R3060G2 and ISL9R3060P2 are Stealth™ diodes optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The Stealth™ family exhibits low reverse recovery current (IRRM) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. Features

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FAIRCHILD

仙童半导体

丝印：R3060G2；Package：TO-247；STEALTH Rectifier 30 A, 600 V

Description The ISL9R3060G2−F085 is STEALTH diode optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The STEALTH family exhibits low reverse recovery current (IRRM) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. This device is intended for us

文件：383.14 Kbytes 页数：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

30A, 600V Stealth??Diode

General Description The ISL9R3060G2 and ISL9R3060P2 are Stealth™ diodes optimized for low loss performance in high frequency hard switched applications. The Stealth™ family exhibits low reverse recovery current (IRRM) and exceptionally soft recovery under typical operating conditions. Features

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FAIRCHILD

仙童半导体

30A, 1200V Stealth??Diode

文件：143.75 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

30A, 600V Stealth Rectifier

文件：510.37 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

30A, 600V Stealth??Diode

文件：225.56 Kbytes 页数：6 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

600V，30A，2.0V，TO-247（2 引线）Stealth™ 整流器

ISL9R3060G2_F085 经过了 Stealth™ 二极管优化，提高了在高频率硬开关应用中降低损耗的性能。Stealth™ 系列在正常的运行条件下，具备低反向恢复电流(IRRM(REC))和出色的软恢复特性。该器件在电源及其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。低 IRRM和短 ta相位可降低开关晶体管中的损耗。软恢复特性可最大限度地减少振铃，从而扩大了二极管的工作范围，省去了额外的缓冲电路。 考虑将 Stealth™ 二极管与 SMPS IGBT 配合使用，以更低成本提供最高效、最高功率密度的设计。 •高速开关 (trr=31 ns（典型值）） @ IF=30A时)\n•正向电压低(VF=2.4V（最大值）） @ IF=30A )\n•雪崩能量额定值\n•符合 AEC-Q101;

ONSEMI

安森美半导体

30A，600V，STEALTH™ 二极管

ISL9R3060G2 是经过优化的 STEALTH™ 二极管，可在高频率的硬开关应用中实现低损耗性能。 STEALTH™ 系列在典型运行条件下，具备低反向恢复电流 (IRR) 和出色的软恢复特性。 该器件在电源及其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。 低 IRR和短 ta 阶段可降低开关晶体管中的损耗。 软恢复可以减小振铃，扩大二极管不使用其他缓冲电路而运行的条件范围。 考虑将Stealth™ 二极管与SMPS IGBT配合使用，以更低成本提供最高效、最高功率密度的设计。 •Stealth 恢复，Trr=36 ns（需 IF=30 A）\n•最大正向电压，VF=2.4 V（需 TC=25°C）\n•600 V 反向电压和高可靠性\n•雪崩能量额定值\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体

30 A、600 V STEALTH™ 二极管

ISL9R3060P2 是经过优化的 STEALTH™ 二极管，可在高频率的硬开关应用中实现低损耗性能。 STEALTH™ 系列在典型运行条件下，具备低反向恢复电流 (IRR) 和出色的软恢复特性。 该器件在电源及其他电源开关应用中用作续流或升压二极管。 低 IRR和短 ta 阶段可降低开关晶体管中的损耗。 软恢复可以减小振铃，扩大二极管不使用其他缓冲电路而运行的条件范围。 考虑将Stealth™ 二极管与SMPS IGBT配合使用，以更低成本提供最高效、最高功率密度的设计。 •Stealth 恢复，Trr=36 ns（需 IF=30 A）\n•最大正向电压，VF=2.4 V（需 TC=25°C）\n•600 V 反向电压和高可靠性\n•雪崩能量额定值\n•符合 RoHS 标准;

ONSEMI

安森美半导体