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ISL80112	文件：761.04 Kbytes Page：17 Pages	Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs The ISL80111, ISL80112, and ISL80113 are ultra low dropout LDOs providing the optimum balance between performance, size and power consumption in size constrained designs for data communication, computing, storage and medical applications. These LDOs are specified for 1A, 2A and 3A of output cu 文件：761.04 Kbytes 页数：17 Pages	Intersil	Intersil
ISL80112	文件：1.09483 Mbytes Page：17 Pages	Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs Features • Ultra low dropout: 75mV at 3A, (typical) • Excellent VIN PSRR: 70dB at 1kHz (typical) • ±1.6% assured VOUT accuracy for -40ºC 文件：1.09483 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL80112	文件：972.08 Kbytes Page：16 Pages	Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs 文件：972.08 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL80112	文件：756.34 Kbytes Page：17 Pages	Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs 文件：756.34 Kbytes 页数：17 Pages	Intersil	Intersil
ISL80112	文件：300 bytes Page：1 Pages	Ultra Low Dropout 2A Low Input Voltage NMOS LDOs The ISL80111, ISL80112, and ISL80113 are ultra low dropout LDOs providing the optimum balance between performance, size and power consumption in size constrained designs for data communication, computing, storage and medical applications. These LDOs are specified for 1A, 2A and 3A of output current • Ultra low dropout: 75mV at 3A, (typical)\n• Excellent VIN PSRR: 70dB at 1kHz (typical)\n• ±1.6% guaranteed VOUT accuracy for -40ºC < TJ < +125ºC\n• Very fast load transient response\n• Extensive protection and reporting features\n• VIN range: 1V to 3.6V, VOUT range: 0.8V to 3.3V\n• Small 10 Ld;	Renesas 瑞萨	Renesas
ISL80112EVAL1Z	文件：1.09483 Mbytes Page：17 Pages	Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs Features • Ultra low dropout: 75mV at 3A, (typical) • Excellent VIN PSRR: 70dB at 1kHz (typical) • ±1.6% assured VOUT accuracy for -40ºC 文件：1.09483 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL80112EVAL1Z	文件：761.04 Kbytes Page：17 Pages	Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs The ISL80111, ISL80112, and ISL80113 are ultra low dropout LDOs providing the optimum balance between performance, size and power consumption in size constrained designs for data communication, computing, storage and medical applications. These LDOs are specified for 1A, 2A and 3A of output cu 文件：761.04 Kbytes 页数：17 Pages	Intersil	Intersil
ISL80112IRAJZ	文件：761.04 Kbytes Page：17 Pages	Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs The ISL80111, ISL80112, and ISL80113 are ultra low dropout LDOs providing the optimum balance between performance, size and power consumption in size constrained designs for data communication, computing, storage and medical applications. These LDOs are specified for 1A, 2A and 3A of output cu 文件：761.04 Kbytes 页数：17 Pages	Intersil	Intersil
ISL80112IRAJZ	文件：1.09483 Mbytes Page：17 Pages	丝印：2ADJ；Package：DFN；Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs Features • Ultra low dropout: 75mV at 3A, (typical) • Excellent VIN PSRR: 70dB at 1kHz (typical) • ±1.6% assured VOUT accuracy for -40ºC 文件：1.09483 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
ISL80112IRAJZ-T	文件：1.09483 Mbytes Page：17 Pages	丝印：2ADJ；Package：DFN；Ultra Low Dropout 1A, 2A, 3A Low Input Voltage NMOS LDOs Features • Ultra low dropout: 75mV at 3A, (typical) • Excellent VIN PSRR: 70dB at 1kHz (typical) • ±1.6% assured VOUT accuracy for -40ºC 文件：1.09483 Mbytes 页数：17 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

技术参数

Input Voltage (Max) (V)：
3.6
Output Voltage (Min) (V)：
0.5
Output Voltage (Max) (V)：
3.3
Output Current 1 (Max) (A)：
2
Drop Out Voltage (Typical)：
53 @ 2A
Fixed Output Voltage Option：
否
PSRR (db)：
80
IQ：
3500 µA
Noise (10Hz to 100kHz) (μVrms)：
100
Qualification Level：
Standard
Pkg. Type：
DFN

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更多ISL80112供应商更新时间2025-11-24 18:09:00

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