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ENN6612B	文件：38.12 Kbytes Page：5 Pages	ElectretCondenserMicrophoneApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FDD6612	文件：226.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6612A	文件：226.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6612A	文件：122.79 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：339.7 Kbytes Page：18 Pages	EVALUATIONKIT INTRODUCINGLX1710/1711AUDIOMAX ThankyouforyourinterestinthelatestgenerationofAudioMAXproducts.TheenclosedLXE1710evaluationboardisafullyfunctionalmonoamplifierdesignedtodemonstratethe“newandimproved”SwitchingClass-DPowerAmplifierICfromLinfinityMicrosemi.The	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FDS6612A	文件：164.38 Kbytes Page：7 Pages	SingleN-Channel,Logic-Level,PowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：246.99 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：479.23 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features Fastswitchingspeed Lowgatecharge Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=8.4A RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
FDS6612A-NL	文件：1.00896 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDU6612A	文件：122.79 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF6612	文件：200.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6612combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeo	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant Description TheIRF6612PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6612TRPBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant Description TheIRF6612PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISL6612	文件：559.13 Kbytes Page：30 Pages	VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoring VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334,ISL6334Acontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresult	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL6612	文件：601.58 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL6612	文件：322.71 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures VR11.1,4-PhasePWMControllerwithLightLoadEfficiencyEnhancementandLoadCurrentMonitoringFeatures TheISL6334B,ISL6334Ccontrolmicroprocessorcorevoltageregulationbydrivingupto4interleavedsynchronous-rectifiedbuckchannelsinparallel.Thismultiphasearchitectureresul	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL6612	文件：363.27 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures TheISL6612andISL6613arehighfrequencyMOSFET driversspecificallydesignedtodriveupperandlowerpower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuck convertertopology.ThesedriverscombinedwithHIP63xxor ISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandN-Channel MOSFETsformcompl	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL6612A	文件：305.95 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP TheISL6612AandISL6613AarehighfrequencyMOSFET driversspecificallydesignedtodriveupperandlowerpower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuck convertertopology.ThesedriverscombinedwithHIP63xxor ISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandN-Channel MOSFETsformcom	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
ISL6612A	文件：600.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithPre-POROVP	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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产品属性

产品编号：
ISL6612CB
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.25A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
26ns，18ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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