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PT6602M	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT6602Q	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT6602R	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
RM6602	文件：356.05 Kbytes Page：12 Pages	NandP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET GeneralFeatures N-Channel VDS=30V,ID=3.5A RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
S6602	文件：918.17 Kbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyBarrierDiodeBareDie Features 1)Lowforwardvoltage 3)Temperatureindependentswitchingbehavior 2)Negligiblerecoverytime/current 4)Highsurgecurrentcapability Applications ・SwitchModePowerSupply ・EVCharger ・UninterruptiblePowerSupply ・AirConditioner ・SolarInverter ・MotorDrive	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SPC6602	文件：265.71 Kbytes Page：11 Pages	N&PPairEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
STC6602	文件：873.18 Kbytes Page：8 Pages	DualN&PChannelEnhancementModeMOSFET	STANSON Stanson Technology	STANSON
STC6602	文件：613.71 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STT6602	文件：3.00364 Mbytes Page：7 Pages	N-Ch:3.3A,30V,RDS(ON)65mP-Ch:-2.3A,-30V,RDS(ON)120mN&P-ChannelEnhancementModeMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
STT6602	文件：613.8 Kbytes Page：9 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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