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ISF1018

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Low drain-source on-resistance : RDS(ON) = 0.073Ω (typ.) ·Easy to control Gate switching ·Enhancement mode : Vth = 2.7 to 3.7V (VDS = 10 V, ID=1.5mA) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION ·Switching

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ISC

无锡固电

KIT1018S

Photo Interrupter

文件:253.66 Kbytes 页数:4 Pages

KODENSHI

可天士

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