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ISA250300C04LMDS

丝印:2530C04L;Package:PG-DSO-8;MOSFET OptiMOS™ 3 Power‑Transistors, 40 V

Features • Complementary N‑ and P‑channel • Very low on‑resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

文件:1.1634 Mbytes 页数:18 Pages

Infineon

英飞凌

ISA250300C04LMDS

OptiMOS ™双 N+P 通道功率 MOSFET 40 V,采用 SO-8 封装

英飞凌推出采用 SO-8 封装的全新 OptiMOS ™双功率 MOSFET 40 V(ISA250300C04LMDS),为最佳性价比产品提供了基准解决方案。N+P 双通道 MOSFET 是割草机器人、真空机器人、无人机和许多其他低功耗 DCDC 应用的完美解决方案。此外,双 MOSFET 是创建紧凑、直接的设计解决方案的绝佳选择。 • 最佳性价比\n • 封装标准化:SO8\n • 易于使用(LL 目标)\n • 有竞争力的价格\n • 小尺寸封装;

Infineon

英飞凌

ISB-TS45H

森霸
TO-46

森霸

ISD1-03

SAMTEC/砷泰
汽车电子连接器

SAMTEC/砷泰

ISD1110P

ISD |
DIP28 |

ISD |

技术参数

  • QG(typ @10V):

    7.9 nC

  • QG(typ @4.5V):

    -8.1 nC

  • RDS (on)(@10V) max:

    25 mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    32 mΩ

  • VDSmax:

    -40 V

  • VGS(th):

    -1.1 V to -2.7 V

  • Package:

    SO-8

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 150 °C

  • Polarity:

    N+P

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Infineon/英飞凌
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更多ISA250300C04LMDS供应商 更新时间2025-10-11 15:16:00