512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – 36 mW (typical) operating  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V—2.2V VDD (62/65WV51216EALL) – 2.2V--3.6V VDD (62/65WV51216EBLL)  Data control for upper and lower bytes  Automotive tempera

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ISSI

矽成半导体

PowerSaver™ Lower Power Asynchronous SRAM

ISSI

矽成半导体

Package：48-VFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48VFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc