1M x 16 HIGH-SPEED LOW POWER ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM

文件：187.7 Kbytes 页数：17 Pages

ISSI

矽成半导体

High Speed Low Power Asynchronous SRAM

ISSI

矽成半导体

Asynchronous SRAM

·Broad Solution:- x8, x16, and x32 configurations available- 5V/3.3V/1.8V VDD Power Supply- Commercial, Industrial, and Automotive Temperature (-40 °C to 125 °C) support- BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP packages available\n·ECC feature available for High Speed Asynchronous SRAMs\n·Long-term support\n

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矽成半导体

Package：48-TFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc