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IS61WV102416BLL	文件：127.6 Kbytes Page：21 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10MI	文件：127.6 Kbytes Page：21 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10MI	文件：323.87 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10MLI	文件：127.6 Kbytes Page：21 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10MLI	文件：323.87 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10TI	文件：127.6 Kbytes Page：21 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10TLI	文件：127.6 Kbytes Page：21 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10TLI	文件：323.87 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL	文件：131.11 Kbytes Page：21 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL	文件：323.87 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10MI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10MLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416BLL-10MLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFBGA 类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PAR 48MINIBGA	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
IS61WV102416ALL	文件：127.6 Kbytes Page：21 Pages	1Mx16HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLLarehigh-speed,16M-bitstaticRAMsorganizedas1024Kwordsby16bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-performance	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI
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IS61WV102416ALL	文件：323.87 Kbytes Page：20 Pages	1Mx16HIGH-SPEEDASYNCHRONOUSCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司	ISSI

详细参数

型号：
IS61WV102416BL
功能描述：
静态随机存取存储器 16M(1Mx16) 8ns 3.3V Async 静态随机存取存储器 3.3v
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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