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IS61NLF25636A-7.5B2I	文件：236.85 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM 文件：236.85 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS61NLF25636A-7.5TQ	文件：236.85 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM 文件：236.85 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS61NLF25636A-7.5TQLI	文件：236.85 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM 文件：236.85 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLF25636B	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM ·4Mb, 9Mb, 18Mb, 36Mb, and 72Mb densities available\n·x18, x36, and x72 configurations available\n·Pipeline, Flow-Through, and No-Wait State (ZBT equivalent)\n·Commercial, Industrial, and Automotive Temperature support\n·ECC feature available for 4Mb product\n·250MHz speed for Pipeline\n·6.5ns acces	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLF25636A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLF25636A-7.5B2I-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NLF25636A-7.5TQI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

详细参数

型号：
IS61NLF25636
功能描述：
静态随机存取存储器 8M(256Kx36) 7.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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