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IS61NLF51236-7.5B3

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

IS61NLF51236-7.5B3I

256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

IS61NLF51236-7.5B3I

包装:托盘 封装/外壳:165-TBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

IS61NLF51236-7.5B3I-TR

包装:卷带(TR) 封装/外壳:165-TBGA 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

ISSIIntegrated Silicon Solution Inc

ISSI公司ISSI有限公司

详细参数

  • 型号:

    IS61NLF51236-7.5B3

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 7.5ns 3.3v/2.5v I/O

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

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ISSI
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更多IS61NLF51236-7.5B3供应商 更新时间2024-5-14 10:07:00