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IS61NLP51218A-200TQI	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The 9 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 36 bits and 512K words by 18 bits, fabric 文件：261.57 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLP51218A-200TQLI	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The 9 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 36 bits and 512K words by 18 bits, fabric 文件：261.57 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLP51218A-200TQ	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The 9 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 36 bits and 512K words by 18 bits, fabric 文件：261.57 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLP51218A-200TQLI-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI(美国芯成) LQFP-100(14x20)	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)
IS61NLP51236B-200B3LI	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI(美国芯成) TFBGA-165(13x15)	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)

详细参数

型号：
IS61NLP51218A-200TQI
功能描述：
静态随机存取存储器 8Mb 512Kx18 200Mhz 3.3v I/O
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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