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IS61NLF51236-7.5B3I集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
IS61NLF51236-7.5B3I |
参数属性 | IS61NLF51236-7.5B3I 封装/外壳为165-TBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA |
功能描述 | 256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM |
文件大小 |
251.56 Kbytes |
页面数量 |
35 页 |
生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
企业简称 |
ISSI【ISSI公司】 |
中文名称 | ISSI有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-30 17:41:00 |
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IS61NLF51236-7.5B3I规格书详情
IS61NLF51236-7.5B3I属于集成电路(IC) > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS61NLF51236-7.5B3I存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
IS61NLF51236-7.5B3I
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 同步,SDR
- 存储容量:
18Mb(512K x 36)
- 存储器接口:
并联
- 电压 - 供电:
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
165-TBGA
- 供应商器件封装:
165-TFBGA(13x15)
- 描述:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
20+ |
QFP |
500 |
样品可出,优势库存欢迎实单 |
询价 | ||
ISSI |
2020+ |
TQFP100 |
3850 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
TQFP-100 |
16000 |
原装优势绝对有货 |
询价 | ||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
23+ |
100TQFP (14x20) |
9000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
100-TQFP(14x20) |
73390 |
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询价 | ||
ISSI Integrated Silicon Soluti |
21+ |
100TQFP (14x20) |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
ISSI |
2018+ |
TQFP100 |
12000 |
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ISSI-矽成 |
24+25+/26+27+ |
TQFP-100 |
2368 |
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ISSI |
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QFP |
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ISSI |
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