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IS61NLF25636A数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
技术参数
- 产品编号：
IS61NLF25636A-7.5B2I-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
9Mb（256K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
119-BBGA
- 供应商器件封装：
119-PBGA（14x22）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
417 |
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ISSI(美国芯成) |
24+ |
TQFP100(14x20) |
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ISSI |
21+ |
TQFP100 |
7500 |
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ISSI |
2014 |
TQFP100@ |
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ISSI |
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100-TQFP(14x20) |
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ISSI |
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TQFP100 |
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ISSI |
2014 |
TQFP100 |
417 |
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ISSI Integrated Silicon Solut |
25+ |
119-BBGA |
9350 |
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ISSI |
25+ |
TQFP100 |
880000 |
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ISSI, Integrated Silicon Solu |
23+ |
100-TQFP14x20 |
7300 |
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