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IS61LV632A-6TQ	文件：122.25 Kbytes Page：16 Pages	32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV632Aisahigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMdesignedtoprovideaburstable,highperformance,secondarycacheforthei486™,Pentium™,680X0™,andPowerPC™microprocessors.Itisorganizedas32,768wordsby32bits,fabricatedwithISSIsadvancedCMOStechno	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61LV632A-6TQI	文件：122.25 Kbytes Page：16 Pages	32K x 32 SYNCHRONOUS FAST STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV632Aisahigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMdesignedtoprovideaburstable,highperformance,secondarycacheforthei486™,Pentium™,680X0™,andPowerPC™microprocessors.Itisorganizedas32,768wordsby32bits,fabricatedwithISSIsadvancedCMOStechno	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61LV632A-6TQI-TR	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP;	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61LV632A-6TQI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LV632A-6TQI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LV632A-6PQ	文件：122.25 Kbytes Page：16 Pages	32Kx32SYNCHRONOUSFASTSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV632Aisahigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMdesignedtoprovideaburstable,highperformance,secondarycacheforthei486™,Pentium™,680X0™,andPowerPC™microprocessors.Itisorganizedas32,768wordsby32bits,fabricatedwithISSIsadvancedCMOStechno	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61LV632A-6PQI	文件：122.25 Kbytes Page：16 Pages	32Kx32SYNCHRONOUSFASTSTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS61LV632Aisahigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMdesignedtoprovideaburstable,highperformance,secondarycacheforthei486™,Pentium™,680X0™,andPowerPC™microprocessors.Itisorganizedas32,768wordsby32bits,fabricatedwithISSIsadvancedCMOStechno	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb （32K x 32）
访问时间：
6ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
3.135V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x20）

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更多IS61LV632A-6TQ供应商更新时间2025-7-28 16:31:00

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