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IS61DDPB42M18A/A1/A2	文件：573.62 Kbytes Page：32 Pages	2Mx18, 1Mx36 36Mb DDR-IIP(Burst 4) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：573.62 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDPB42M18ASLASHA1SLASHA2	文件：573.62 Kbytes Page：32 Pages	2Mx18, 1Mx36 36Mb DDR-IIP(Burst 4) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：573.62 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDPB42M18B	文件：931.61 Kbytes Page：32 Pages	Common I/O read and write ports 文件：931.61 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDPB42M18B1	文件：931.61 Kbytes Page：32 Pages	Common I/O read and write ports 文件：931.61 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDPB42M18B2	文件：931.61 Kbytes Page：32 Pages	Common I/O read and write ports 文件：931.61 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDPB42M36A/A1/A2	文件：545.49 Kbytes Page：32 Pages	4Mx18, 2Mx36 72Mb DDR-IIP(Burst 4) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：545.49 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDPB42M36ASLASHA1SLASHA2	文件：545.49 Kbytes Page：32 Pages	4Mx18, 2Mx36 72Mb DDR-IIP(Burst 4) CIO SYNCHRONOUS SRAM 文件：545.49 Kbytes 页数：32 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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产品属性

产品编号：
IS61DDB22M18-250M3
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
36Mb（2M x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.71V ~ 1.89V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-LFBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

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更多IS61D供应商更新时间2025-10-8 16:31:00

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