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IS61DDB21M18A	文件：770.68 Kbytes Page：29 Pages	Fixed 2-bit burst for read and write operations 文件：770.68 Kbytes 页数：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB21M36-250M3	文件：550.18 Kbytes Page：25 Pages	36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：550.18 Kbytes 页数：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB21M36A	文件：760.91 Kbytes Page：29 Pages	Clock stop support 文件：760.91 Kbytes 页数：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M18	文件：550.18 Kbytes Page：25 Pages	36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：550.18 Kbytes 页数：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M18-250M3	文件：550.18 Kbytes Page：25 Pages	36 Mb (1M x 36 & 2M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：550.18 Kbytes 页数：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M18A	文件：760.91 Kbytes Page：29 Pages	Clock stop support 文件：760.91 Kbytes 页数：29 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36	文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes 页数：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36-250M3	文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes 页数：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36-250M3L	文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes 页数：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61DDB22M36-300M3	文件：624.46 Kbytes Page：25 Pages	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) DDR-II (Burst of 2) CIO Synchronous SRAMs 文件：624.46 Kbytes 页数：25 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61DDB22M18-250M3
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
36Mb（2M x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.71V ~ 1.89V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-LFBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165LFBGA

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更多IS61D供应商更新时间2025-10-6 16:33:00

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