DDR2 SDRAM

·Single supply voltage of 1.8V ± 0.1V\n·SSTL_18 compatible inputs\n·Data masking per byte on Write commands\n·Programmable burst length of 4 or 8\n·Programmable CAS Latency of 3, 4, 5 or 6\n·Auto-Refresh and Self-Refresh Modes\n·OCD (Off-Chip Driver Impedance Adjustment)\n·ODT (On Die Termination) s

ISSI

矽成半导体

Clock frequency up to 333MHz

文件：993.62 Kbytes 页数：26 Pages

ISSI

矽成半导体

Package：84-LFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：84-LFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Package：84-LFBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc