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IS45S16160J中文资料SDR SDRAM数据手册ISSI规格书
IS45S16160J规格书详情
描述 Description
·Synchronous, with 3.3V power supply
·LVTTL interface
·Programmable burst length (1, 2, 4, 8, full page)
·Programmable burst sequence: Sequential/Interleave
·Self refresh and Auto Refresh modes
·Random column address every clock cycle
·Programmable CAS latency (2, 3 clocks)
·Burst read/write and burst read/single write
·Long-Term Support
技术参数
- 产品编号：
IS45S16160J-6BLA1-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
DRAM
- 技术：
SDRAM
- 存储容量：
256Mb（16M x 16）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
54-TFBGA
- 供应商器件封装：
54-TFBGA（8x8）
- 描述：
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
24+ |
NA/ |
4330 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
24+ |
TSOPII54 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ISSI |
2023+ |
TSSOP |
6893 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
ISSI |
23+ |
TSOP |
7000 |
询价 | |||
ISSI |
2026 |
* |
394 |
询价 | |||
ISSI |
25+ |
BGA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ISSI |
24+ |
TSOP |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ISSI, |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
TE/泰科 |
2508+ |
/ |
473077 |
一级代理，原装现货 |
询价 | ||
ISSI |
2023+ |
SMD |
60 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 |
